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J-GLOBAL ID：200903038511814270

空間光変調素子およびその製造方法

Inventor： 秋山 浩二 ,  荻原 昭文 ,  小川 久仁
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994153534
Publication number (International publication number)：1995110491
Application date： Jul. 05, 1994
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 明るく、高コントラストで高解像度の画像を出力できる投射型ディスプレイに使用できる空間光変調素子を提供する。【構成】 ガラス基板101上に透明導電性電極102と導電率の小さい非晶質半導体層103と導電率の大きい非晶質半導体層104からなる光導電体層105と島状反射鏡106とを積層し、島状反射鏡106間の光導電体層105を除去し、非晶質半導体層103の方が非晶質半導体層104に比べて幅広の溝部を設け、この溝部底部にAl遮光膜117を形成し、溝部内にポリイミド絶縁膜118と炭素粒子を分散したレジストを充填して光吸収層109を形成後、ポリイミド配向膜108を積層する。これと透明導電性電極110とポリイミド配向膜111を積層したガラス基板112との間に1〜2μm厚の強誘電性液晶層107を密封する。

Claim (excerpt)：

透明導電性電極を具備した2枚の透明絶縁性基板で挟まれた領域に導電率の小さい非晶質半導体層と導電率の大きい非晶質半導体層を順次積層してなる光導電体層と、液晶層と、これらの層の間に同一平面内に設けられた複数個の島状反射鏡とを少なくとも具備し、前記島状反射鏡間の前記光導電体層に溝部を設け、前記溝部の幅が前記導電率の大きい非晶質半導体層に比べて前記導電率の小さい非晶質半導体層の方を広くしたことを特徴とする空間光変調素子。