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J-GLOBAL ID：200903038516394792
プラズマプロセス装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992100498
Publication number (International publication number)：1993275381
Application date： Mar. 25, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】【目的】 プラズマ生成室内から試料室内の試料に至る間の複数個所で夫々磁場分布,磁場強度を独立的に調整可能な領域を設ける。【構成】 プラズマ生成室1及びこれに連設した試料室3にわたる周囲に、これと同心状に少なくとも2つの励磁コイル4,5を配設し、夫々に互いに逆向きに直流電流を通流し、プラズマ生成室1内から試料室3の試料Sに至る間において、少なくとも一個所で前記励磁コイル4,5の磁場M1 ,M2 が反転するようにする。
Claim (excerpt)：
磁場とマイクロ波とを用いてプラズマ生成室内にプラズマを生成させ、該プラズマを磁力線に沿ってプラズマ生成室内に連設した試料室に導き、該試料室内の試料にプラズマ処理を行うプラズマプロセス装置において、プラズマ生成室内から試料室内の試料に至る間に、少なくとも一個所以上、磁場の向きが逆転する領域を有することを特徴とするプラズマプロセス装置。
IPC (6)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, G01N 24/14
, G01R 33/64
, H01L 21/31
, H01P 7/06
