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J-GLOBAL ID：200903038538013539
炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992153667
Publication number (International publication number)：1993345700
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 SiC基板上に結晶性のよいSiCエピタキシャル層を形成できる炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置を提供することを目的とする。【構成】 温度勾配をもつケイ素融液6が充填された黒鉛ルツボと、前記ルツボの外側に配設された高周波誘導加熱コイル7と、前記ケイ素融液6中の低温部に基板ホルダ8により保持された炭化ケイ素単結晶基板9とを備えた炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置において、前記ルツボ2内の前記ケイ素融液6の高温部と低温部の間に遮蔽体10を設ける。
Claim (excerpt)：
温度勾配をもつケイ素融液が充填された黒鉛ルツボと、該ルツボの外側に配設された高周波誘導加熱コイルと、前記ケイ素融液中の低温部に基板ホルダにより保持され、浸漬した炭化ケイ素単結晶基板とを備えた炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置において、前記ルツボ内の炭化ケイ素単結晶基板を配置した低温部と、その低温部と離間した高温部との間に遮蔽体を設けたことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の液相エピタキシャル成長装置。
IPC (3)：
C30B 29/36
, C30B 19/06
, H01L 21/208
