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J-GLOBAL ID：200903038548755088
LED及びLEDの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 次男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992200456
Publication number (International publication number)：1993190898
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】LEDのp-n接合の位置を制御して光出力を高める。【構成】n基板S上にnバッファ層B、n下部クラッド層LC、活性層A、p上部一部クラッド層UC、p下部ウインド層LW、p上部ウインド層UWを形成する。下部ウインド層LW、上部ウインド層UWは同タイプであるが、異なるドーパントが用いらている。形成中、基板Sや下部ウインド層LWからのドーパントの拡散が小さく、LEDのp-n接合の位置を下部クラッド層LCと活性層Aの界面近傍に安定に維持できる。即ち,光出力を高く出来る。前記nをpでそれぞれ置き換えることもできる。
Claim (excerpt)：
後記(イ)乃至(ホ)から成るLED。(イ)基板、(ロ)前記基板上に被着された第一の導電性タイプを有する下部クラッド層、(ハ)前記下部クラッド層上に被着された活性層、(ニ)前記活性層上に被着され、前記第一の導電性タイプとは異なる第二の導電性タイプを有する上部クラッド層、(ホ)前記上部クラッド層に隣接し第一のドーパント材料を有する第一の層と、前記上部クラッド層から離れて位置し第二のドーパント材料を有する第二の層とから成り、前記第二の導電性タイプを有する前記上部クラッド層に被着されたウインド層。
Patent cited by the Patent：
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