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J-GLOBAL ID：200903038556654231

酸化物強誘電薄膜の製造方法

Inventor： 渡辺 俊二 ,  藤生 尚光
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 西澤 利夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305125
Publication number (International publication number)：1993139892
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリコン単結晶基板上に、良質なエピタキシャル強誘電薄膜を形成する。また、下部電極層の利用も可能とする。【構成】 シリコン単結晶(100)表面に緩衝層として硅化ニッケルNiSi2 (100)面をエピタキシャル成長させ、さらにその表面上に酸化マグネシウムMgO(100)面をエピタキシャル成長させた後に、酸化物強誘電薄膜をこの緩衝層表面上にエピタキシャル成長させる。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶基板の(100)面上に緩衝層として硅化ニッケル(100)面をエピタキシャル成長させ、さらにその表面上に酸化マグネシウム(100)面をエピタキシャル成長させた後に、酸化物強誘電薄膜をこの緩衝層表面上にエピタキシャル成長させることを特徴とする酸化物強誘電薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C30B 29/16 ,  C23C 14/06 ,  C30B 25/02 ,  G02B 1/00 ,  H01L 41/24 ,  C30B 25/06