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J-GLOBAL ID：200903038569313980
III-V族化合物半導体の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
永田 武三郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993092530
Publication number (International publication number)：1994283705
Application date： Mar. 26, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高温熱処理工程を不要としたIII-V族化合物半導体の形成方法を提供することである。【構成】 面方位(100)で〈110〉方向に数度オフさせてSi基板2を反応管1内にセットし、減圧MOCVD法により低温バッファ層あるいは中間層を介することなく、所定の成長温度で初期成長から直接III-V族化合物半導体を1段階で成長させる。Si基板上の自然あるいは熱酸化膜を上記半導体膜形成直前に除去し、その後リンスして、乾燥させるが、その時間は前記半導体膜の鏡面状態や電気的特性に影響を与える時間以内とする。
Claim (excerpt)：
面方位(100)で〈110〉方向に数度オフさせたシリコン基板上に減圧MOCVD法により低温バッファ層あるいは中間層を介することなく、所定の成長温度にて初期成長から直接III-V族化合物半導体を1段階で直接成長させる方法において、該シリコン基板表面上の自然酸化膜あるいは熱酸化膜を、III-V族化合物半導体膜を形成する直前に除去し、その後純水でリンスし、乾燥する時間を、III-V族化合物半導体成長過程で成長させたIII-V族化合物半導体薄膜の鏡面状態や電気的特性に影響を与える時間長さ以内で反応容器にセットし、直ちに真空あるいは減圧状態にすることにより、その後のIII-V族化合物半導体膜成長工程でシリコン基板表面のクリーニング及びシリコン表面再配列化を促す高温熱処理工程を行うことなく、III-V族化合物半導体薄膜をシリコン基板上に形成することを特徴とするIII-V族化合物半導体の形成方法。
IPC (3)：
H01L 29/205
, C30B 25/14
, H01L 21/306
