半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000380884
Publication number (International publication number)：2002184988
Application date： Dec. 14, 2000
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】高速サージに対する耐量を高めることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1でのデバイス形成領域の周囲における基板表層部にpウェル領域9が形成されるとともに、デバイス形成領域の周囲のLOCOS酸化膜10の上において、フィールドプレートリング群11の最も内周側のリングGFPがゲート端子と、最も外周側のリングFP5がコレクタ端子と電気的に接続されている。リング群11での内外のリングの間においてポリシリコン・ツェナーダイオード12a〜12eが接続されている。最も内周側のリングGFPが、半導体基板1におけるpウェル領域9の外周側端部E1よりも内側に配置されている。pウェル領域9の外周側端部E1の上に、フィールドプレートリングFP1が配置されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板(1)でのデバイス形成領域の周囲における基板表層部に形成され、半導体基板(1)との界面でボディーダイオードを形成するとともに、デバイスの第1端子と電気的に接続された不純物拡散領域(9)と、前記デバイス形成領域の周囲における前記半導体基板(1)の上に形成された絶縁膜(10)と、多重の導電性リングよりなり、前記絶縁膜(10)の上におけるデバイス形成領域の外周側に配置され、最も内周側のリング(GFP)がデバイスの第2端子と電気的に接続されるとともに最も外周側のリング(FP5)がデバイスの第3端子と電気的に接続されたフィールドプレートリング群(11)と、前記絶縁膜(10)の上において前記フィールドプレートリング群(11)での内外のフィールドプレートリングの間に配置され、一端が内周側のフィールドプレートリングと電気的に接続され、他端が外周側のフィールドプレートリングと電気的に接続された保護素子(12a〜12e)と、を備えた半導体装置であって、前記フィールドプレートリング群(11)での最も内周側のフィールドプレートリング(GFP)を、前記半導体基板(1)における前記不純物拡散領域(9)の外周側端部(E1)よりも内側に配置するとともに、前記不純物拡散領域(9)の外周側端部(E1)の上に、最も内周側のフィールドプレートリング(GFP)よりも外側のフィールドプレートリング(FP1)を配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 655 , H01L 29/78 , H01L 29/78 657 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/06 , H01L 29/41

FI (7)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 655 E , H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 657 A , H01L 29/06 , H01L 27/04 H , H01L 29/44 E

F-Term (14)：

4M104BB01 , 4M104GG02 , 4M104GG06 , 4M104GG08 , 4M104HH20 , 5F038AR09 , 5F038AV04 , 5F038AV05 , 5F038AZ06 , 5F038BH03 , 5F038BH05 , 5F038BH10 , 5F038BH13 , 5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

絶縁分離形半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-225565 Applicant：日本電装株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-023753 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (1)

絶縁分離形半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-225565 Applicant：日本電装株式会社

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