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J-GLOBAL ID：200903038592027634

半導体装置の製造方法

Inventor： 山田 節
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224938
Publication number (International publication number)：1993047694
Application date： Aug. 09, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電界効果トランジスタ等の半導体装置の作製工程において、高濃度の不純物層を半導体基板内に容易に形成する。【構成】 半導体基板1上に、イオン阻止能を有するイオン阻止層2,半導体層3をこの順に積層した後((a),(b))、不純物となるイオンを注入する((c))。注入した不純物を活性化した後、結晶成長層4を積層する((d))。注入したイオンはイオン阻止層2には進入せず、イオン阻止層2と半導体層3との界面に高濃度の不純物が導入される。

Claim (excerpt)：

半導体基板内に不純物層を有する半導体装置を製造する方法において、前記半導体基板上にイオン阻止能を有するイオン阻止層を形成する工程と、該イオン阻止層上に半導体層を形成する工程と、該半導体層に不純物としてのイオンを注入する工程と、注入した不純物を活性化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 21/265 C ,  H01L 29/80 H