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J-GLOBAL ID：200903038592953008
薄膜多層配線基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992020096
Publication number (International publication number)：1993218645
Application date： Feb. 05, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 パターン設計上の制約がなく、平坦な表面層を得ることができる薄膜多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】 導体パターン2の形成された絶縁基板1に被着された絶縁層3にヴィアホール5を形成し、その上面全面に保護層6を形成した後、導体材料である銅を、電解めっき法により、ヴィアホール5が十分に埋まりさらに表面が平坦化するまで成膜し、しかる後、不要の銅を絶縁層3上の配線分まで除去して所望の形状を得る。
Claim (excerpt)：
導体パターンの形成された絶縁基板に被着された絶縁層にヴィアホールを形成し、その上面全面に保護層を形成した後、導体材料である銅を、電解めっき法により、ヴィアホールが十分に埋まりさらに表面が平坦化するまで成膜し、しかる後、不要の銅を絶縁層上の配線分まで除去して所望の形状を得ることを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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