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J-GLOBAL ID：200903038596630742
チップ型トランス
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡田 全啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993344361
Publication number (International publication number)：1995176918
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 バルントランスに用いられ、小型化を図ることができるチップ型トランスを提供する。【構成】 チップ型トランスとしてのバルントランス10は積層体12を含み、積層体12は積層される第1〜第5の誘電体基板14a〜14eを含む。第1の誘電体基板14aおよび第5の誘電体基板14eの一方主面には、アース電極16および30がそれぞれ形成される。第2の誘電体基板14bの一方主面には、接続電極20が形成される。第3の誘電体基板14cの一方主面には、第1のストリップライン22が形成される。第1のストリップライン22は、螺旋状の第1および第2の部分24aおよび24bからなる。第4の誘電体基板14dの一方主面には、螺旋状の第2および第3のストリップライン26および28が形成される。第2および第3ののストリップライン26および28は、第1のストリップライン22の第1および第2の部分24aおよび24bにそれぞれ電磁結合する。
Claim (excerpt)：
誘電体基板、前記誘電体基板の一方主面に蛇行してまたは渦巻状に形成される第1のストリップライン、前記誘電体基板の他方主面に蛇行してまたは渦巻状に形成され、前記第1のストリップラインの一部分に電磁結合する第2のストリップライン、および前記誘電体基板の他方主面に蛇行してまたは渦巻状に形成され、前記第1のストリップラインの他の部分に電磁結合する第3のストリップラインを含む、チップ型トランス。
IPC (3)：
H01P 5/10
, H01F 19/06
, H01P 3/08
