半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995050093
Publication number (International publication number)：1996250766
Application date： Mar. 09, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】冷電子放出素子の新しい展開を可能にするとともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置を提供する。【構成】シリコン基板1と、このシリコン基板1の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質シリコン層2と、この多孔質シリコン層2上に形成されるAu薄膜電極3と、前記シリコン基板1の裏面に形成されるオーミック電極4と、前記Au薄膜電極3に対向して配置され、真空雰囲気で前記Au薄膜電極3からの放出電子を捕獲するコレクタ電極5とを設ける。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板と、(b)該半導体基板の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質半導体層と、(c)該多孔質半導体層上に形成される金属薄膜電極と、(d)前記半導体基板の裏面に形成されるオーミック電極と、(e)前記金属薄膜電極に対向して配置され、真空雰囲気で該金属薄膜電極からの放出電子を捕獲するコレクタ電極とを具備することを特徴とする半導体冷電子放出素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01J 31/12 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 A , H01J 31/12 B , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

MIS型冷陰極電子放出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-147582 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
薄膜冷陰極及びそれを用いた電子線露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-329149 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-356977

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