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J-GLOBAL ID:200903038608743998
超音波探触子の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
春日 讓
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992016751
Publication number (International publication number):1993209867
Application date: Jan. 31, 1992
Publication date: Aug. 20, 1993
Summary:
【要約】【目的】超音波探触子の製造方法において、球面精度の良い凹状レンズ面を製作し、合わせて欠けや平坦部のないエッジを形成する。【構成】シリコンのエッチングで設計値より少し寸法の小さい予備レンズ面20を作り、その表面にSiO2 の熱酸化膜21を形成させる。この熱酸化膜21のみを再度エッチングで除去し、球面精度の優れた凹状レンズ面23を得る。また予備レンズ面72の形成後、平坦面73を残してテーパ面70の加工を行い、この形状でSiO2 の熱酸化膜74を形成する。次いでこの熱酸化膜74のみをエッチングで除去し、球面精度の優れた凹状レンズ面75と強度があって欠けや平坦部のないシャープで高品質なエッジ76とを得る。
Claim (excerpt):
音響レンズ本体の一方の端部に超音波を発生する圧電素子を備え、他方の端部に前記超音波を集束させる凹状レンズ面を備え、試料で反射された超音波を前記圧電素子で検出して該試料の情報を得る超音波探触子を製造する方法において、単結晶シリコンからなるレンズ素材にエッチングにより前記凹状レンズ面より寸法の小さな予備レンズを製作する第一の手順と、前記予備レンズ面を熱酸化することにより、該予備レンズ面の表面にSiO2 の熱酸化膜を形成させる第二の手順と、エッチングにより前記熱酸化膜のみを除去し、前記凹状レンズ面を得る第三の手順とを有することを特徴とする超音波探触子の製造方法。
IPC (3):
G01N 29/24 501
, G01N 29/20 501
, H04R 17/00 330
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