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J-GLOBAL ID：200903038618212613

化学気相析出法

Inventor： 斎藤 正樹
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122116
Publication number (International publication number)：1994310446
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】従来のCVD装置の改造を最小限に止めることができ、しかも、高い膜質と早い成膜速度を同時に満足させ得る新規のCVD法を提供する。【構成】本発明の化学気相析出法(CVD法)は、基板上への薄膜の成膜時、成膜開始直後の基板温度と、成膜終了直前の基板温度とを相違させることを特徴とする。成膜開始直後の基板温度よりも成膜終了直前の基板温度を高くすることが望ましい。

Claim (excerpt)：

基板上への薄膜の成膜時、成膜開始直後の基板温度と、成膜終了直前の基板温度とを相違させることを特徴とする化学気相析出法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316