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J-GLOBAL ID：200903038621052821
半導体集積回路装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994305300
Publication number (International publication number)：1996162457
Application date： Dec. 09, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子のCCBバンプ接続における多電極化を実現する半導体集積回路装置を提供する。【構成】 バンプを介して半導体素子2を搭載しかつセラミック材料からなる基板であるパッケージ基板と、高熱伝導性セラミックからなりかつ封止用はんだを介してパッケージ基板の主面に接続されるキャップ部材とからなる半導体集積回路装置であり、半導体素子2の電極形成面2cの外周部2aに形成された第1のバンプ接続用電極7と電気的に導通する配線部8と、配線部8を介して第1のバンプ接続用電極7と電気的に導通しかつ半導体素子2上における他のバンプ接続用電極10とは電気的に導通しない第2のバンプ接続用電極9とが、半導体素子2の電極形成面2cの内部領域2bに形成される。
Claim (excerpt)：
半導体素子がバンプを介して基板に接続される半導体集積回路装置であって、前記半導体素子の電極形成面の外周部に形成された第1のバンプ接続用電極と電気的に導通する配線部と、前記配線部を介して前記第1のバンプ接続用電極と電気的に導通し、かつ前記半導体素子上における前記第1のバンプ接続用電極以外の他のバンプ接続用電極とは電気的に導通しない第2のバンプ接続用電極とが、前記半導体素子の電極形成面の内部領域に形成され、前記配線部は、はんだが濡れない材料によって形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2)：
H01L 21/92 602 N
, H01L 21/92 602 Z
