Pat
J-GLOBAL ID:200903038621821620
共振空洞で強化されるプレーナ型受光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001332569
Publication number (International publication number):2002151731
Application date: Oct. 30, 2001
Publication date: May. 24, 2002
Summary:
【要約】【課題】 改良されたRCE受光素子を提供する。【解決手段】プレーナ型の、底部が照明される、共振空洞により強められる(RCE)受光素子が提供される。第1のミラー217及び第2のミラー207a〜207dを有する共振空洞が、プレーナ型の、底部が照明される受光素子201に配置される。光吸収層211は、受光素子201の共振空洞構造の第1のミラー217と第2のミラー207a〜207dとに挟まれている。共振空洞の第1のミラー217及び第2のミラー207a〜207dの少なくとも一方は、金または銀のような高反射率の金属とすることができ、これにより作製工程を簡単にすることができる。このデバイスは、広禁止帯幅のプレーナ型ダイオードの優れた信頼性とRCE受光素子により高められた量子効率とを併せ持つ。デバイスプロセスは、高製造量に対して十分に強い。
Claim (excerpt):
プレーナ型の、後方が照明される受光素子であって、第1の電極と、第1のミラーと、第1の型の導電性領域と、光吸収領域と、前記第1のミラーと共に共振空洞を形成し、前記共振空洞内に前記光吸収領域が配置される、第2のミラーと、検出されるべき光に対して実質的に透過性である第2の型の導電性の半導体本体と、前記光が前記半導体本体に入射することを許容するように形成される第2の電極とを含むことを特徴とする受光素子。
IPC (2):
FI (2):
H01L 31/10 A
, H01L 31/10 B
F-Term (10):
5F049MA03
, 5F049MA04
, 5F049MA07
, 5F049MB07
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049QA03
, 5F049SS04
, 5F049SZ16
, 5F049TA12
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