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J-GLOBAL ID：200903038627735521
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003152823
Publication number (International publication number)：2004356422
Application date： May. 29, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：
【課題】共役系高分子が可溶、不溶であるにかかわらず、水や有機溶媒を使用せずに共役系高分子薄膜を形成でき、かつ共役系高分子が液晶性を有していなくとも配向誘起層を利用せずに共役系高分子配向膜を形成できる電界効果型トランジスタ製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極とする導電性シリコンウェファーの表面にゲート絶縁膜とする酸化シリコン膜を形成した基板に、ペレット状に加圧成型した導電性共役系高分子を窒素雰囲気下において加熱したシリコン基板上に圧着掃引して、摩擦転写膜を形成し、前記摩擦転写膜の表面にソース電極及びドレイン電極を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ソース電極とドレイン電極間の電流通路である半導体層の導電率をゲート電極によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、半導体層が共役系高分子からなる有機半導体薄膜であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L29/78 618B
, H01L29/28
5F110AA16
, 5F110AA30
, 5F110CC07
, 5F110DD05
, 5F110EE08
, 5F110FF02
, 5F110FF23
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110GG60
, 5F110HK32
