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J-GLOBAL ID：200903038638084565

蛍石単結晶の熱処理装置および熱処理方法

Inventor： 水垣 勉 ,  北村 郁夫 ,  佐久間 繁 ,  塩澤 正樹 ,  高野 修一 ,  西川 秀美
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン ,  応用光研工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997070983
Publication number (International publication number)：1998265300
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高精度な光学系に使用できる蛍石単結晶を得るための、熱処理装置および熱処理方法を提供すること。【解決手段】 少なくとも、蛍石単結晶を収納した後に密閉されて真空排気される気密化可能な容器2を有し、この容器2の外側周辺の側部(または側方)、底部(または下方)、及び上部(天端部または上方)に、それぞれ独立に温度制御が可能なヒーター3、4、5、8、9を備えた蛍石単結晶の熱処理装置。

Claim (excerpt)：

少なくとも、蛍石単結晶を収納した後に密閉されて真空排気される気密化可能な容器を有し、この容器の外側周辺の側部(または側方)、底部(または下方)、及び上部(天端部または上方)に、それぞれ独立に温度制御が可能なヒーターを備えた蛍石単結晶の熱処理装置。

IPC (2)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/12

FI (2)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-349199
  
• 熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-187369   Applicant：株式会社デンコー
• 特開平4-297504
  
• 特開平2-245579
  
• 高抵抗化合物半導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-081755   Applicant：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平3-285898