Pat

J-GLOBAL ID：200903038638344877

電子放出素子

Inventor： 山蔭 康弘
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096999
Publication number (International publication number)：1993274998
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 特性が揃っておりかつ放出電流の大きな電子放出素子を提供する。【構成】 Siの微細加工技術を利用してSi基板10上に形成されたSiエミッタ20の先端部に、液体金属イオン源から放出したAu+イオンを集束し減速したAu+イオンビーム30を照射してAu薄膜21を形成する。【効果】 Siの微細加工技術の利用により形状の一定したエミッタが得られ、かつ、Siよりも仕事関数が小さく自由電子が多い金属薄膜を有するため放出電流が大きくなる。

Claim (excerpt)：

Si基板上に形成された先鋭なる先端を有する錐体により構成されるエミッタを備えた電子放出素子において、前記錐体をSiで形成し、前記錐体の先端部分に金属薄膜を形成したことを特徴とする電子放出素子。