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J-GLOBAL ID：200903038653293677

光起電力素子

Inventor： 松山 深照
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991158812
Publication number (International publication number)：1993013790
Application date： Jun. 28, 1991
Publication date： Jan. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 裏面電極と半導体層との間の透明導電層を改良することによって光電変換効率を向上させる。【構成】 基板101上に、裏面電極層102、透明導電層103、n型半導体層104、真性半導体層105、p型半導体層106および透明電極層107を、順に積層した層構造を有しており、光入射面となる透明電極層107の表面には枝状の集電電極108が形成されている。また、前記透明導電層103は、複数の元素の化合物からなるものであり、該化合物の組成比を膜厚方向で変化させたものである。【効果】 光起電力素子の直列抵抗が減少して、開放電圧、フィルファクターがそれぞれ向上し、また、半導体層での長波長光の吸収が増大して短絡電流が向上し、それらによって、光起電力素子の光電変換効率が向上した。

Claim (excerpt)：

光入射面の反対側に形成された裏面電極と、一導電型を示す半導体層との間に、複数の元素の化合物からなる透明導電層を有する光起電力素子において、前記透明導電層を形成する化合物の組成比を膜厚方向で変化させたことを特徴とする光起電力素子。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  C03C 4/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-159383
  
• 特開昭57-204182