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J-GLOBAL ID：200903038673015070
半導体装置のコンタクトホールエッチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992094054
Publication number (International publication number)：1993291211
Application date： Apr. 14, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体装置のコンタクトホールエッチング方法において、導電膜との選択比を維持し、寸法変換差を最小限に抑制しながら、コンタクトホールの底面積を十分に得る。【構成】 所定の径のポジレジスト5を形成し、サイドエッチングが生じる高圧力のプラズマ生成条件下においてコンタクトホール径をマスクパターン径よりも大きくエッチングする第1のエッチング工程〔図1(b)〕と、変換差が生じ難い低圧力でかつ堆積が生じ易いようなガス流量比を増加させた放電条件でエッチングする第2のエッチング工程〔図1(c)〕とを施す。
Claim (excerpt)：
(a)所定の径のマスクパターンを形成する工程と、(b)サイドエッチングが生じる高圧力のプラズマ生成条件下においてコンタクトホール径をマスクパターン径よりも大きくエッチングする第1のエッチング工程と、(c)変換差が生じ難い低圧力でかつ堆積が生じ易いようなガス流量比を増加させた放電条件でエッチングする第2のエッチング工程とを施すことを特徴とする半導体装置のコンタクトホールエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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