膜形成用材料の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000363514
Publication number (International publication number)：2001354905
Application date： Nov. 29, 2000
Publication date： Dec. 25, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、比誘電率特性のPCT(Pressure Cooker Test)耐性、PCT後の低脱ガス特性、CMP(Chemical Mechanical Polishing)耐性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物の製造方法。【解決手段】 (A)有機溶剤、(B)塩基性化合物および(C)水を含有する液に、(D)一般式1、2、3で表される化合物の群から選ばれた一種以上の化合物を連続的或いは断続的に添加する、膜形成用材料の製造法。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)(RはH,F原子又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO原子、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2、b,cは0〜2の整数、dは0または1、nは0又は1を示す。)

Claim (excerpt)：

(A)有機溶剤、(B)塩基性化合物および(C)水を含有する液に、(D)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を連続的または断続的に添加することを特徴とする膜形成用材料の製造方法。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (6)：

C09D183/04 , B32B 9/00 , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (6)：

C09D183/04 , B32B 9/00 A , C09D183/02 , C09D183/14 , H01L 21/312 C , H01L 21/316 G

F-Term (52)：

4F100AH02A , 4F100AH06A , 4F100AT00B , 4F100BA02 , 4F100EH462 , 4F100EJ422 , 4F100GB41 , 4F100JG04 , 4F100JG05 , 4F100YY00A , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL071 , 4J038DL111 , 4J038DL161 , 4J038HA176 , 4J038JA18 , 4J038JA20 , 4J038JA21 , 4J038JA22 , 4J038JA26 , 4J038JA33 , 4J038JA34 , 4J038JA56 , 4J038JA57 , 4J038JB01 , 4J038JB03 , 4J038JB09 , 4J038JB13 , 4J038JB18 , 4J038JB27 , 4J038JB29 , 4J038JB30 , 4J038JB33 , 4J038JB39 , 4J038KA04 , 4J038KA06 , 4J038LA03 , 4J038MA08 , 4J038MA10 , 4J038MA14 , 4J038NA01 , 4J038NA21 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC01 , 4J038PC02 , 5F058BA07 , 5F058BC02 , 5F058BF46 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリカ系被膜形成用塗布液及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-144808 Applicant：東京応化工業株式会社

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