半導体基板、半導体基板の製造方法および電子デバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：林茂則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008335028
Publication number (International publication number)：2009177170
Application date： Dec. 26, 2008
Publication date： Aug. 06, 2009
Summary：

【課題】安価な、また、放熱特性に優れたSi基板を用いて、良質なGaAs系の結晶薄膜を得る。【解決手段】Siの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。Ge層は、アニールした場合に、アニールの温度および時間において結晶欠陥が移動する距離の2倍を越えない大きさの島状に形成する。あるいはGe層は、アニールした場合に、アニールの温度において基板であるSiとの熱膨張係数の相違によるストレスが剥離を発生させない大きさの島状に形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Siの基板と、前記基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたGe層と、前記Ge層の上に結晶成長され、Pを含む3-5族化合物半導体層からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板。

IPC (8)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 21/331 , H01L 29/737 , H01L 21/822 , H01L 27/082 , H01L 21/322 , H01L 21/205

FI (6)：

H01L21/20 , H01L21/324 X , H01L29/72 H , H01L27/08 101B , H01L21/322 G , H01L21/205

F-Term (60)：

5F003AZ01 , 5F003BA23 , 5F003BA92 , 5F003BB01 , 5F003BB90 , 5F003BC01 , 5F003BC90 , 5F003BE01 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP11 , 5F003BP31 , 5F003BP32 , 5F003BP41 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB05 , 5F045AB10 , 5F045AC01 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA02 , 5F045DA53 , 5F045HA16 , 5F082BA21 , 5F082BA35 , 5F082BA47 , 5F082BC03 , 5F082CA01 , 5F082CA02 , 5F082CA03 , 5F082CA05 , 5F082DA03 , 5F082EA22 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LM09 , 5F152LN03 , 5F152LN04 , 5F152LN05 , 5F152LN22 , 5F152LN23 , 5F152LN32 , 5F152MM05 , 5F152MM07 , 5F152MM10 , 5F152MM13 , 5F152MM18 , 5F152NN03 , 5F152NN27 , 5F152NP04 , 5F152NP05 , 5F152NP06 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ08 , 5F152NQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-123259 Applicant：松下電工株式会社
GaAs層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-177559 Applicant：沖電気工業株式会社
特開昭61-135115

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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