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J-GLOBAL ID：200903038684206594

マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： 鈴木 伸昌
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993273318
Publication number (International publication number)：1995130494
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【構成】 プラズマ発生室101を包囲するように配置され、内側に複数の所定形状のスロット109が所定間隔で設けられている環状のマイクロ波導波管104をマイクロ波導入手段として用い、プラズマ発生室の内壁面に平行な均一磁界を発生させる磁界発生手段106を用いるマイクロ波プラズマ処理装置。【効果】 プラズマ発生室の周辺からマイクロ波をプラズマ発生室内に均一かつ効率的に導入でき、均一かつ高密度なプラズマを発生させることができ、また、該装置のプラズマ処理室内に配置される被処理基体を均一かつ効率的にプラズマ処理でき、さらに良質な堆積膜を均一かつ効率的に形成できる。

Claim (excerpt)：

マイクロ波を透過可能な筒状管を構成要素として含む真空容器と、該真空容器内に設置された被処理基体を支持する手段と、前記筒状管を通して該真空容器内にマイクロ波を導入する手段と、該マイクロ波の電界に垂直で前記筒状管の内壁面に平行でかつマイクロ波の周波数のほぼ3.57×10-11(T/Hz)倍の磁束密度を有する磁界を該真空容器内に発生させる手段と、該真空容器内に処理用ガスを導入する手段とから構成される有磁場マイクロ波プラズマ処理装置であって、前記マイクロ波導入手段が、前記筒状管の周りを囲むように配置され、複数のスロットが内側面に形成された環状導波管であることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (6)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01Q 13/10