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J-GLOBAL ID：200903038694591860

磁気抵抗トランスデューサ用導体構造

Inventor： スティーヴン・エル・ナバーフィス
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993135992
Publication number (International publication number)：1994061546
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【構成】 二重ストライプ型磁気抵抗トランスデューサにおいて、二つの磁気抵抗(MR)ストライプ(30,32)を非常に近接して隔置することを可能にすると同時に、ストライプの各々にほぼ同一の輪郭形状を与えることのできる、独自の導体構造が提供される。第一の導体(10)がトランスデューサ基板上に配置され、それに伴うMRストライプ(32)はこの導体上に直接に配向される。第二のMRストライプ(30)は第一のMRストライプ(32)上に配置される。この第二のMRストライプ(32)は、それに伴う導体(20)をその上に配向させており、二つのストライプは非常に近接させることができ、誘電体層(15)によってのみ隔てられる。【効果】 アクティブ領域は導体の縁部により提供され、非常に類似した輪郭形状のストライプ相互間での密結合が可能となることにより、バルクハウゼンノイズが減少又は除去され、データ密度及びトランスデューサ感度が改善される。

Claim (excerpt)：

二重ストライプ型磁気抵抗トランスデューサであって、基板と、前記基板上に設けられた第一の導体と、前記第一の導体上に設けられた第一の磁気抵抗ストライプと、前記第一の磁気抵抗ストライプ上に設けられた第二の磁気抵抗ストライプと、前記第二の磁気抵抗ストライプ上に設けられた第二の導体とからなり、前記トランスデューサが前記導体の縁部により画定された単一のアクティブ領域を提供する、磁気抵抗トランスデューサ。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01D 5/245 ,  G01R 33/06 ,  G11B 5/39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特許第3879760号
  
• 特許第3860965号
  
• 特許第4012781号