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J-GLOBAL ID：200903038707449520

情報記録媒体とその記録方法

Inventor： 宮澤 弘 ,  石田 方哉
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199827
Publication number (International publication number)：1997050692
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【目的】 メカニカルアクセスを必要としない磁気記録媒体を実現する。【構成】 巨大磁気抵抗効果を用いる磁気記録媒体において、メモリセルをx-y座標で指定した2次元平面に配列し、x-y座標で指定した電極線に電流を流すことで特定のメモリセルの磁化方向を反転させる。

Claim (excerpt)：

巨大磁気抵抗効果を読み出し方法に用いる情報記録媒体において、(1)情報信号の記録をつかさどるメモリセルは、基板側から見て少なくとも磁性層、非磁性層、磁性層の順に積層してなり(2)前記磁性層のうち、相対的に小さな保磁力Hc1の磁性層を磁性層1、相対的に大きな保磁力Hc2の磁性層を磁性層2としたとき、前記磁性層1、前記磁性層2は基板に平行な面内方向1、面内方向2にそれぞれ磁化容易軸を有し、(3)前記メモリセルの上方に記録用電極線1、前記メモリセルの下方に記録用電極線2を、それぞれ絶縁体層をはさんで配置し、前記記録用電極線1、前記記録用電極線2に流れる電流I1、I2は、前記基板に平行であり、かつ前記電流I1、I2と前記面内方向1とがなす角度をθ1、前記電流I1、I2と前記面内方向2とがなす角度をθ2とするとき45°≦θ1≦135°45°≦θ2≦135°である以上の項目を満たすことを特徴とする情報記録媒体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-153580
  
• 磁性薄膜メモリ素子およびその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-063028   Applicant：三菱電機株式会社