GaInP系積層構造体

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999286234
Publication number (International publication number)：2001111035
Application date： Oct. 07, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い電子移動度有し、相互コンダクランス特性に優れる、電界効果型トランジスタ等に用いられるGaInP系積層構造体を提供する。【解決手段】GaInAsチャネル層の接合界面からGa0.51In0.49P電子供給層との接合界面に向けてガリウム組成を減少させたGaXIn1-XP組成勾配層を形成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性のGaAs単結晶基板上に、Ga<SB>Z</SB>In<SB>1-Z</SB>As(0<Z≦1)電子走行層、Ga<SB>X</SB>In<SB>1-X</SB>P(0<X≦1)スペーサ層、Ga<SB>Y</SB>In<SB>1-Y</SB>P(0<Y<1)電子供給層を含むGaInP系積層構造体に於いて、電子走行層、スペーサ層、電子供給層がこの順に接し、スペーサ層が電子走行層との接合界面から、電子供給層との接合界面に向けて、ガリウム組成比(X)を減少させていることを特徴とするGaInP系積層構造体。

IPC (3)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

F-Term (12)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM10 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GT02 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

III-V族化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-320095 Applicant：富士通株式会社
高電子移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-070644 Applicant：日立電線株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-248322 Applicant：株式会社東芝

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