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J-GLOBAL ID：200903038710299920

多層配線基板

Inventor： 上田 貴史
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997354415
Publication number (International publication number)：1999186443
Application date： Dec. 24, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 マトリックス状電極を有する半導体部品との半田接続において半田亀裂の発生を防止できる多層配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体部品2の複数の電極3に対応してそれぞれ形成され接続パッド5,6,7が、電極形成面2aの中央に位置する電極3と接続される接続パッド5から電極形成面2aの外方に位置する電極3と接続される接続パッド7に向かって、電極3と接続パッド5,6,7との間に位置する半田の半田高さが次第に高くなるように段差をもって形成された多層配線基板とする。

Claim (excerpt)：

積層構造を有し、複数の電極が電極形成面にマトリックス状に形成された半導体部品が半田を介して実装される多層配線基板であって、複数の前記電極に対応してそれぞれ形成され接続パッドが、前記電極形成面の中央に位置する前記電極と接続される前記接続パッドから前記電極形成面の外方に位置する前記電極と接続される前記接続パッドに向かって、前記電極と前記接続パッドとの間に位置する半田の半田高さが次第に高くなるように段差をもって形成されていることを特徴とする多層配線基板。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H05K 1/18

FI (3)：

H01L 23/12 F ,  H01L 21/60 311 Q ,  H05K 1/18 R