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J-GLOBAL ID：200903038711489501
半導体素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273192
Publication number (International publication number)：1997115900
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】放置により現像時間が変化せず、短時間現像可能で、製造条件の容易な半導体素子を得る。【解決手段】(a)一般式(1)で表される構造単位を主成分とするポリマ-(A)、(b)エチレン性不飽和二重結合および水素結合をカルボキシル基および/またはアミド基と形成可能な基を有する化合物(B)、および(c)増感剤を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物の硬化膜を表面保護膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜の少なくとも一つとして用いた半導体素子。
Claim (excerpt)：
(a)一般式(1)で表される構造単位を主成分とするポリマー(A)、【化1】(R1 は少なくとも2個以上の炭素原子を有する3価または4価の有機基、R2は、少なくとも2個以上の炭素原子を有する2価の有機基、R3 は、-OR4、-NHR4又は-O- N+ R4R5R6R7、ただし、R4は少なくとも1個のエチレン性不飽和結合を有する基、R5、R6、R7は、水素、炭素数1から10までの炭化水素基または少なくとも1個のエチレン性不飽和結合を有する基を表す。nは1または2である。)(b)エチレン性不飽和二重結合および水素結合をカルボキシル基および/またはアミド基と形成可能な基を有する化合物(B)、および(c)増感剤を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物の硬化膜を表面保護膜、層間絶縁膜、パッシベーション膜の少なくとも一つとして用いたことを特徴とする半導体素子。
IPC (6)：
H01L 21/312
, C08F290/14 MRU
, C08K 5/17
, C08L 79/08 LRB
, G03F 7/038 504
, H01L 21/027
H01L 21/312 B
, C08F290/14 MRU
, C08K 5/17
, C08L 79/08 LRB
, G03F 7/038 504
, H01L 21/30 502 R
