Pat

J-GLOBAL ID：200903038720481149

光半導体装置成形用金型離型付与材及び該離型付与材により処理された金型を用いて製造された光半導体装置

Inventor： 土田 悟 ,  小坂 正彦 ,  広川 孝三
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 穂高 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994189687
Publication number (International publication number)：1996052744
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 金型表面に離型持続性に優れた皮膜を形成することにより、成形時、ダミーショットを不要とし、また連続ショット数を大幅に向上させることができる光半導体装置成形用金型離型付与材及びこの金型離型付与材で処理された金型を用いて封止された安価な光半導体装置を提供する。【構成】 (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤及び(D)低分子量ポリオレフィンワックスを必須成分として含有し、(D)成分の低分子量ポリオレフィンワックスが数平均分子量1000〜10000の範囲の酸化型ポリエチレンワックス及び/又は酸化型ポリプロピレンワックスであり、その配合量が(A)〜(D)成分の合計量の5〜50重量%の範囲である光半導体装置成形用金型離型付与材並びにこの光半導体装置成形用金型離型付与剤により処理された金型を用いて封止された光半導体装置。

Claim (excerpt)：

(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤及び(D)低分子量ポリオレフィンワックスを必須成分として含有し、(D)成分の低分子量ポリオレフィンワックスが数平均分子量1000〜10000の範囲の酸化型ポリエチレンワックス及び/又は酸化型ポリプロピレンワックスであり、その配合量が(A)〜(D)成分の合計量の5〜50重量%の範囲であることを特徴とする光半導体装置成形用金型離型付与材。

IPC (7)：

B29C 33/58 ,  B29C 45/02 ,  C08L 63/00 NJN ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 23/30 R ,  H01L 23/30 F