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J-GLOBAL ID：200903038720642355

半導体装置の製造方法

Inventor： 松永 大輔
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992272118
Publication number (International publication number)：1994125010
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Al若しくはAl合金を用いた多層配線構造の形成方法に関し、配線層間のコンタクト抵抗の増大及び不安定化を防止することを目的とする。【構成】 Al若しくはAl合金からなる配線金属膜を形成し、該配線金属膜をパターニングしてAl若しくはAl合金からなる下層の配線を形成し、該下層の配線上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜に該下層の配線を表出するコンタクトホールを弗素を含むガスを用いたドライエッチング手段により形成し、該コンタクトホール上に上層の配線を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、該下層の配線3Lのパターニングに先立って該配線金属膜3の全面上若しくは選択的に該コンタクトホール9の下部にあたる領域上に、弗素を含むガスのプラズマに曝されると揮発性の弗素化合物を形成する金属若しくは金属窒化物からなる該コンタクトホール形成に際してのエッチングストッパ膜4を形成する工程を有するように構成する。

Claim (excerpt)：

アルミニウム若しくはアルミニウム合金からなる配線金属膜を形成し、該配線金属膜をパターニングしてアルミニウム若しくはアルミニウム合金からなる下層の配線を形成し、該下層の配線上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜に該下層の配線を表出するコンタクトホールを弗素を含むガスを用いたドライエッチング手段により形成し、該コンタクトホール上に上層の配線を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、該下層の配線のパターニングに先立って該配線金属膜の全面上若しくは選択的に該コンタクトホールの下部にあたる領域上に、弗素を含むガスのプラズマに曝されると揮発性の弗素化合物を形成する金属、若しくは該金属からなる金属窒化物を該コンタクトホール形成に際してのエッチングストッパ膜をなすように形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 R