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J-GLOBAL ID：200903038724022491

堆積膜の成膜方法

Inventor： 近江 和明
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991224315
Publication number (International publication number)：1993062913
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低い基体温度で成膜する。【構成】 150°C以下の基体温度で、CVD法によりアモルファスシリコンを基体上に堆積する工程と、堆積したシリコン膜に水素プラズマを照射する工程とを交互に繰返して成膜する。

Claim (excerpt)：

基体上に水素化アモルファスシリコン又は水素化アモルファスシリコン合金堆積膜を形成する堆積膜の成膜方法において、基体温度を150°C以下に保ちながら、基体上に水素化アモルファスシリコン層又は水素化アモルファスシリコン合金層を堆積する工程と、堆積した水素化アモルファスシリコン層又は水素化アモルファスシリコン合金層に水素原子又は水素イオン照射をする工程とを交互に繰り返しながら堆積を行う事を特徴とする水素化アモルファスシリコン堆積膜又は水素化アモルファスシリコン合金堆積膜の成膜方法。

IPC (6)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/00 ,  H01L 21/31 ,  H01L 31/04 ,  H05H 1/46