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J-GLOBAL ID:200903038732036663
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003401516
Publication number (International publication number):2005164821
Application date: Dec. 01, 2003
Publication date: Jun. 23, 2005
Summary:
【課題】250nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、かつエッチング速度、感度、溶解コントラスト、ラインエッジラフネス等の諸特性に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(A1)及び(A2)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)少なくとも下記一般式(A1)で表される繰り返し単位及び下記一般式(A2)で表される繰り返し単位を有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び
(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2):
FI (2):
G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
F-Term (16):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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フォトレジストおよびミクロリソグラフィのための方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-578698
Applicant:イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
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高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-182430
Applicant:信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
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米国特許出願公開第2002/0146638A1号明細書
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