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J-GLOBAL ID：200903038756757418
アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991189825
Publication number (International publication number)：1993034723
Application date： Jul. 30, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 レーザ照射により、レーザエッジ部の影響のない電気的特性の優れた薄膜トランジスタによる駆動回路を絶縁基板上に形成したアクティブマトリクス基板とその製造方法を提供する。【構成】 アクティブマトリクスを構成する薄膜トランジスタを駆動するための集積回路を、絶縁基板上にパルスレーザービームの大きさに含まれるように分割して配置する。駆動回路を構成する素子の材料であるシリコン薄膜を、ビームのエッジ部分が集積回路の外部に存在するようにレーザ照射して結晶化する。この結晶化したシリコン薄膜を利用して、駆動回路を形成する。
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタと上記画素を駆動する薄膜トランジスタによる駆動回路が同一基板上に形成されるアクティブマトリクス基板において、信号線側駆動回路が複数の領域に分割されて構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
