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J-GLOBAL ID：200903038759557991
半導体の製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
熊谷 雄太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150668
Publication number (International publication number)：1993343358
Application date： Jun. 10, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ドライエッチング装置において、エッチングしたウェハ表面上に残っている反応生成物を気化し、被エッチング膜を大気にさらした時に発生するコロージョンを防止する。【構成】 トランスファチャンバ3内にホットステージ8とガス分析計12を有している。これにより、ウェハ10をトランスファチャンバ3の中でベーキングすることで反応生成物の除去が可能となり、さらにガス分析計12にてトランスファチャンバ3内の雰囲気を調べることにより十分な反応生成物の除去を行うまでウェハ10のベーキングを行うことが可能となる。
Claim (excerpt)：
バッチ方式のドライエッチング装置において、ウェハのベーキングを行うホットステージをトランスファチャンバ内に有し、かつ該トランスファチャンバ内にガス分析計を有することを特徴とする半導体の製造装置。
Patent cited by the Patent：
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