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J-GLOBAL ID：200903038760744541

半導体装置の製造方法及び半導体装置

Inventor： 中島 充雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996253189
Publication number (International publication number)：1998098192
Application date： Sep. 25, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 多結晶シリコンで構成されたCMOS回路において、n型チャネルTFTとp型チャネルTFTとの間で、TFTの幾何学的形状を同一にすることが可能な構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板10の表面に非晶質シリコン薄膜12a、12bを形成する。非晶質シリコン薄膜12a、12bの表面にライン状のエキシマレーザビーム39を照射しながら、その幅方向に走査する。これによって、非晶質シリコン薄膜12a、12bを多結晶化すると同時に、結晶粒の形状に二次元的な異方性を与える。p型チャネルTFT8を、そのチャネル12aの方向と二次元的な異方性を与えられた結晶粒の長軸方向とが一致する様に形成するとともに、n型チャネルTFT9を、そのチャネル12bの方向とp型チャネルTFT8のチャネル12aの方向とが互いに直交する様に、形成する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板上に、薄膜トランジスタによってCMOS回路が形成された半導体装置の製造方法において、透明絶縁性基板の表面に非晶質シリコン薄膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン薄膜の表面にライン状のレーザビームを照射しながら、このレーザビームをその幅方向に走査することによって、前記非晶質シリコン薄膜を多結晶化すると同時に、結晶粒の形状に二次元的な異方性を与える工程と、p型チャネル薄膜トランジスタを、そのチャネル長方向と前記の二次元的な異方性を与えられた結晶粒の長軸方向とが一致する様に形成するとともに、n型チャネル薄膜トランジスタを、そのチャネル長方向と前記p型チャネル薄膜トランジスタのチャネル長方向とが互いに直交する様に形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 612 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G