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J-GLOBAL ID：200903038765287394
多層配線構体形成法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田中 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998062200
Publication number (International publication number)：1999251434
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 多層配線構体を、その使用により第3層目の配線層と第2層目の配線層との連結状態が崩れるおそれを有しないものとして、容易に形成する。【解決手段】 第3層目の絶縁層として、低吸水・非放水性絶縁層を用いる。
Claim (excerpt)：
第1層目の絶縁層上に、第1層目の配線層を形成する工程と、上記第1層目の絶縁層上に、上記第1層目の配線層を覆って延長している第2層目の絶縁層を形成する工程と、上記第2層目の絶縁層に、上記第1層目の配線層を外部に臨ませる窓を形成する工程と、上記第2層目の絶縁層上に、上記第1層目の配線層を外部に臨ませる窓を通じて上記第1層目の配線層に連結している第2層目の配線層を形成する工程と、上記第2層目の絶縁層上に、上記第2層目の配線層を覆って第3層目の絶縁層を形成する工程と、上記第3層目の絶縁層に、上記第2層目の配線層を上記第1層目の配線層を外部に臨ませる窓上の位置において外部に臨ませる窓を形成する工程と、上記第3層目の絶縁層上に、上記第2層目の配線層を外部に臨ませる窓を通じて上記第2層目の配線層に連結している第3層目の配線層を形成する工程とを有する多層配線構体形成法において、上記第3層目の絶縁層として、低吸水・非放水性絶縁層を用いることを特徴とする多層配線構体形成法。
IPC (2)：
H01L 21/768
, H01L 21/312
H01L 21/90 A
, H01L 21/312 M
, H01L 21/90 S
Cited by examiner (6)
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