Pat
J-GLOBAL ID：200903038771510682

パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法

Inventor：
松丸 省吾

About 松丸 省吾

, 
渡部 良司

About 渡部 良司

, 
緒方 寿幸

About 緒方 寿幸


Applicant, Patent owner：
東京応化工業株式会社

About 東京応化工業株式会社


Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006208919
Publication number (International publication number)：2008033174
Application date： Jul. 31, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：
【課題】ダブルパターニング法における工程数を低減できる新規なパターン形成方法、該パターン形成方法に好適に用いられる金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法を提供する。【解決手段】支持体1上に第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成し、第一のレジスト膜2を選択的に露光し、現像して複数のレジストパターン3を形成し、レジストパターン3の表面にそれぞれ金属酸化物膜からなる被覆膜4を形成して複数の被覆パターン5を形成し、該被覆パターン5が形成された支持体1上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成し、第二のレジスト膜6を選択的に露光し、現像することにより、複数の被覆パターン5と、第二のレジスト膜6に形成されたレジストパターン7とからなるパターンを支持体上に形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
化学増幅型レジスト組成物を用いてパターンを形成するパターン形成方法であって、 支持体上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターン表面に、金属酸化物膜からなる被覆膜を形成して被覆パターンを形成する工程と、前記被覆パターンが形成された前記支持体上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像してパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/40 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/20
FI (5)：
G03F7/40 ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 570 ,  G03F7/20 521
F-Term (11)：
2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA02 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA08 ,  2H096LA30 ,  5F046AA13 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM