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J-GLOBAL ID：200903038795117477
エッチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993066994
Publication number (International publication number)：1994280060
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高精細マスクパターンが得られ、アンダーカットのない垂直性の高いエッチング形状を与え、エッチング後の側壁の付着物除去の工程が必要ない、しかも環境上問題のあるフロン系ガスを使用しないエッチング方法を提供する。【構成】 基板上に金属薄膜からなる耐エッチングマスクを形成し、組成式中に炭素、塩素または臭素を含まない含フッ素化合物をエッチング気体として用い、1Pa以下の減圧下に反応性イオンエッチングを行う。
Claim (excerpt)：
基板上に金属薄膜からなる耐エッチングマスクを形成し、該基板を反応性イオンで処理するエッチング方法において、反応性イオンによる処理を、低圧下で、エッチング気体として含フッ素化合物を用いて行うことを特徴とするエッチング方法。
IPC (2)：
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