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J-GLOBAL ID：200903038796803862

高熱伝導性窒化珪素回路基板および半導体装置

Inventor： 角野 裕康 ,  堀口 昭宏 ,  加曽利 光男 ,  上野 文雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 津国 肇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996067689
Publication number (International publication number)：1997153567
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 焼結した窒化珪素セラミック板が本来備える高強度特性を利用し、さらに熱伝導率が高く放熱性に優れるとともに耐熱サイクル特性を大幅に改善した高熱伝導性窒化珪素回路基板を提供するとともにこの窒化珪素基板を利用することで熱サイクルに対する信頼性を向上させた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 25°C下における熱伝導率が60W/m・K 以上である窒化珪素セラミック板2に、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)およびアルミニウム(Al)からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層3を介して、金属回路板4が接合されていることを特徴とする高熱伝導性窒化珪素回路基板。

Claim (excerpt)：

25°C下における熱伝導率が60W/m・K 以上である窒化珪素セラミック板に、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)およびアルミニウム(Al)からなる群より選択される少なくとも一種の元素と酸素とを含む中間層を介して、金属回路板が接合されていることを特徴とする高熱伝導性窒化珪素回路基板。

IPC (3)：

H01L 23/14 ,  C04B 35/584 ,  C04B 37/02

FI (4)：

H01L 23/14 M ,  C04B 37/02 Z ,  C04B 35/58 102 Y ,  C04B 35/58 102 T