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J-GLOBAL ID:200903038797346228
基板およびこれを用いた放熱基板、半導体装置、素子搭載装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995310636
Publication number (International publication number):1996227953
Application date: Nov. 29, 1995
Publication date: Sep. 03, 1996
Summary:
【要約】【課題】 高い放熱特性を持っている放熱基板を提供する。【解決手段】 熱伝導率が10W/cm・K以上の高熱伝導性物質層が基材の上に配置され、かつ基材/高熱伝導性物質層の界面部の高熱伝導性物質層側に冷却用媒体を通過させるための流路を備えることを特徴とする基板、ならびに熱伝導率が10W/cm・K以上の高熱伝導性物質からなる板中に、冷却用媒体を通過させるための流路を備えることを特徴とする基板。
Claim (excerpt):
熱伝導率が10W/cm・K以上の高熱伝導性物質層が基材の上に配置され、かつ基材/高熱伝導性物質層の界面部の高熱伝導性物質層側に冷却用媒体を通過させるための流路を備えることを特徴とする基板。
IPC (2):
H01L 23/373
, H01L 23/473
FI (2):
H01L 23/36 M
, H01L 23/46 Z
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