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J-GLOBAL ID：200903038797872140

窒化炭素冷陰極

Inventor： プライア,ロジャー,ダブリュー.
Applicant, Patent owner： ウェイン ステイト ユニヴァーシティ
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外6名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996534081
Publication number (International publication number)：1999504753
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Apr. 27, 1999
Summary：

【要約】冷陰極が、窒化炭素で形成される。該陰極は、窒化ホウ素の層と、該窒化炭素の下に置かれたダイヤモンドの層からなっていてもよい。該陰極は、反応レーザー・アブレーションまたはスパッタリングで製造される。該窒化炭素陰極を利用する電子デバイスも、記載されている。

Claim (excerpt)：

窒化炭素(carbon nitride)からなる陰極(cathode)。

IPC (5)：

H01J 1/30 ,  C01B 21/082 ,  C01B 31/00 ,  C30B 29/04 ,  H01J 9/02

FI (6)：

H01J 1/30 F ,  C01B 21/082 Z ,  C01B 31/00 ,  C30B 29/04 W ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B