受光素子一体型半導体レーザユニットおよび光ピックアップ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：横沢志郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998111264
Publication number (International publication number)：1999306574
Application date： Apr. 22, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザチップからのレーザ光が多重反射を繰り返しながら信号再生用受光素子に導かれてしまうことを防止可能な構成の受光素子一体型半導体レーザユニットを提案すること。【解決手段】半導体レーザユニット1の半導体基板2の表面部分2aのうち、半導体レーザチップ4の出射光軸Aを中心として一定の幅を持って当該出射光軸Aに沿って延びる帯状領域11には、ダミー受光素子12の受光面121が形成されている。半導体レーザチップ4から出射されたレーザ光L1のうち、プリズム6の反射面61から外れたノイズ光L11は上記の受光面121で受光吸収される。このように、ノイズ光L11を吸収できるので、そのノイズ光L11が半導体基板表面で反射することによって信号再生用受光素子3の受光面に導かれてしまうことを防止できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板の表面部分に受光面が形成された信号再生用受光素子と、前記半導体基板の基板面に平行に出射光軸を向けるように当該半導体基板の表面部分に設置された半導体レーザチップと、前記半導体レーザチップにおいて、前記出射光軸の方向で対向する第1および第2の端面から出射された第1および第2のレーザ光のうち、前記第1のレーザ光を前記半導体基板の法線方向に立ち上げる反射面とを有する光ピックアップ装置用の受光素子一体型半導体レーザユニットにおいて、前記半導体基板の表面部分のうち、前記出射光軸を含む所定の幅を持って当該出射光軸に沿って延びる帯状領域には、当該帯状領域に入射した光を吸収して、この光によって励起されるキャリアを再結合するように構成されたダミー受光素子の受光面が形成されていることを特徴とする受光素子一体型半導体レーザユニット。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭64-027289
光ピックアップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-152457 Applicant：日本ビクター株式会社
特開平4-195938

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