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J-GLOBAL ID：200903038807166690

光半導体装置

Inventor： 渡部 徹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991272982
Publication number (International publication number)：1993114721
Application date： Oct. 22, 1991
Publication date： May. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 外部変調による光信号の発生に用いられるDFBレーザに於いて、変調光の反射による擾乱を受けることなく、その発振スペクトルが単一周波数となるレーザダイオードを提供すること。【構成】 該半導体レーザの変調帯域を、該光学素子が該半導体レーザの出力光を変調する変調周波数よりも低周波側に存在するものとし、このような条件を満足させるために、i) レーザの発振波長を、発振開始前の電流注入によるスペクトルのピークより長波長側に設定する、ii) 回折格子のκLを大にする、iii) 活性層の体積を小にする、の何れかが採用される。

Claim (excerpt)：

無変調光を放出する半導体レーザと、該半導体レーザに光学的に結合され且つ該半導体レーザの出力光を変調する機能を備えた光学素子とを構成要素として包含する集積体であって、該半導体レーザの変調帯域は、該光学素子が該半導体レーザの出力光を変調する変調周波数よりも低周波側に存在するものであることを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/15 ,  H01S 3/18