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J-GLOBAL ID：200903038808381098
発光素子構造
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992180118
Publication number (International publication number)：1994029570
Application date： Jul. 07, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 pn接合部から放出される光を効率的に外部へ取り出すことができ、高輝度の発光が可能なLED等の発光素子構造を提供すること。【構成】 p型/n型半導体層とn型/p型半導体層とをpn接合し、光取り出し面上に上部電極を、反対側裏面上に下部電極を形成する発光素子構造であって、上部電極7直下方向のpn接合部1と上部電極7間に電流ブロック層2を形成してなり、望ましくは該電流ブロック層2が、n型またはp型半導体層あるいは電気絶縁性層であって、さらに望ましくは該電流ブロック層2が、上部電極と同一または相似形に形成されてなり、その横断面積が上部電極の少なくとも1/2を有し、かつ、その厚さが0.05〜10.0μmに形成されるものである。
Claim (excerpt)：
n型半導体層とp型半導体層とをpn接合し、光取り出し面上に上部電極を、反対側裏面上に下部電極を形成する発光素子構造であって、該上部電極直下方向のpn接合部と上部電極間に電流ブロック層を形成してなる発光素子構造。
Patent cited by the Patent：
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