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J-GLOBAL ID:200903038816034518

高分子光学材料及びこれを用いた光導波路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中本 宏 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995085979
Publication number (International publication number):1996176444
Application date: Mar. 20, 1995
Publication date: Jul. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 耐溶剤性に優れ、インターミキシング発生を回避できる、可視から近赤外域にわたり低損失でありしかも耐熱性に優れたポリシロキサン系光学材料、及びこれを用いた光導波路を提供する。【構成】 OH基を有する特定構造のポリシロキサン又は含ケイ素化合物と、ポリイソシアネート、シラン化合物、Ti、Al若しくはZrのアルコキシド若しくはキレート化合物の少なくとも1種との混合物である高分子光学材料。又は上記ポリシロキサンのうちの特殊な基をもつもの、その混合物あるいは架橋体からなる高分子光学材料。これら材料を硬化した材料を、コア又はクラッドとして用いる高分子光導波路。
Claim (excerpt):
下記一般式(化1)で表される繰り返し単位からなるポリシロキサンと、ポリイソシアネート、シラン化合物、チタンアルコキシド、チタンキレート化合物、アルミニウムアルコキシド、アルミニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムキレート化合物のうちの少なくとも一つとを含む混合物であることを特徴とする高分子光学材料。【化1】〔式中、R1 、R2 は同一又は異なり、Cb Y2b+1(Yは水素、重水素若しくはハロゲン、bは正の整数を表す)で表されるアルキル基、重水素化アルキル基又はハロゲン化アルキル基、あるいはC6 Y5 (Yは水素、重水素若しくはハロゲンを表す)で表されるフェニル基、重水素化フェニル基又はハロゲン化フェニル基を表す〕
IPC (4):
C08L 83/06 LRX ,  C08K 3/22 KAE ,  G02B 1/04 ,  G02B 6/00 391

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