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J-GLOBAL ID：200903038820210371

プラズマ処理方法、プラズマ処理装置、半導体装置の製造方法及びマイクロ波分散板

Inventor： 尾▲崎▼ 成則 ,  井上 雅司 ,  岩▲崎▼ 征英 ,  伊佐 和裕
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 飯塚 雄二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997101056
Publication number (International publication number)：1998284294
Application date： Apr. 03, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 試料に対するプラズマ処理速度の低下を招くことなく、安定且つ均一なプラズマ処理を行うこと。【解決手段】 真空容器(12,14)に導入されるマイクロ波の進行方向と直交する断面において、当該マイクロ波の通過範囲を規制する。そして、その際にマイクロ波を大気より大きな誘電率を有する物質(46)中を通過させる。

Claim (excerpt)：

真空容器内に導入されたマイクロ波によって生成されるプラズマを用いて前記真空容器内に配置された試料に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記真空容器に導入される前記マイクロ波の進行方向と直交する断面において当該マイクロ波の通過範囲を規制する工程を含み;前記工程において、前記マイクロ波を大気より大きな誘電率を有する物質中を通過させることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 C ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/302 B