熱処理方法及び被処理体の移載方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057002
Publication number (International publication number)：1993218176
Application date： Feb. 07, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】例えば半導体ウエハを熱処理するにあたって自然酸化膜の生成を抑えること及び2つのロードロック室間を開くときに気流の発生を抑えること。【構成】反応管1の下方のウエハ着脱室200A、ロボット室300及びカセット室400Aをロードロック室とし、先ずウエハ着脱室200A、ロボット室300を不活性雰囲気にしておく。カセット室400Aにカセットをセッティングし、ここを不活性雰囲気にした後、気圧平衡用のガス通路を開いて、ロボット室300、カセット室400Aの気圧を平衡にし、続いてゲートバルブG3を開く。これにより気流の発生を抑え、発塵を少なくする、次いで移載ロボット3によりウエハをボート2に移載し、ゲートG1を閉じた後所定の熱処理を行う。

Claim (excerpt)：

多数の被処理体を搭載した被処理体収納部を縦型の反応管内に導入して、ここで被処理体の熱処理を行う縦型熱処理装置において、被処理体を反応管に対して搬入、搬出するための領域を、移載機構を備えた第1のロードロック室と、前記収納部に対する被処理体の着脱を行うための第2のロードロック室とにより構成し、前記第1のロードロック室に多数の被処理体を導入した後、当該第1のロードロック室全体を不活性ガス雰囲気とし、次いで予め不活性ガス雰囲気とした第2のロードロック室内の前記収納部に、第1のロードロック室内の多数の被処理体を前記移載機構により順次に載置することを特徴とする熱処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/68 , H01L 21/205 , H01L 21/22 , H01L 21/31 , H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平1-120811
特開平3-055840
特開平1-108373

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