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J-GLOBAL ID：200903038832751947

化合物半導体装置

Inventor： 酒井 啓之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991245478
Publication number (International publication number)：1993082804
Application date： Sep. 25, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 面積が小さく、かつ、半絶縁性基板とゲート金属界面で生じる問題の少ない化合物半導体集積回路を提供する。【構成】 MESFETの活性領域内のゲート金属上に配線金属とのコンタクトを設ける。【効果】 FETの活性領域外の半絶縁性基板上にゲートの取り出し電極が存在しないため、ゲート金属と半絶縁性基板の界面でのリーク電流がほとんど生じず、また、ゲート金属から半絶縁性基板へのホール注入も起こりにくくなって、サイドゲート効果が低減される。さらに、チップ上の占有面積も小さくなる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体半絶縁性基板上に形成されたショットキー接合電界効果トランジスタ(MESFET)において、ゲート金属と配線金属のコンタクトが、FET形成のために半絶縁性基板に不純物ドーピングされた領域(活性領域)内に設けらていることを特徴とする化合物半導体装置。