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J-GLOBAL ID：200903038838446321

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 須黒 恭一 ,  松尾 浩司 ,  中村 新一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999267207
Publication number (International publication number)：2001093898
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 絶縁膜の絶縁性を向上させる。【解決手段】 半導体基板の主面側に形成された絶縁膜10を有し、絶縁膜10が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域11と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域12と、から構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面側に形成された絶縁膜を有し、該絶縁膜が、金属酸化物からなる複数の粒状絶縁領域と、隣接する粒状絶縁領域間に形成された非晶質絶縁物からなる粒間絶縁領域と、から構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6)：

H01L 21/316 C ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P

F-Term (29)：

5F040DA19 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040ED02 ,  5F040ED03 ,  5F040ED05 ,  5F040ED06 ,  5F040ED07 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040EK05 ,  5F040FA02 ,  5F040FC00 ,  5F040FC10 ,  5F040FC22 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BC11 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF62 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭60-050950