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J-GLOBAL ID：200903038841692821

パターンの形成方法

Inventor： 篠原 啓二
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 土屋 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997125010
Publication number (International publication number)：1998303183
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 有機膜に形成したパターンに近いパターンを下地に転写して、信頼性及び特性の優れた半導体装置を製造する。【解決手段】 塩素を含むガスを用いて有機系反射防止膜14をエッチングすると反応生成物16が形成されるが、フルオロカーボンポリマー膜38で全面を被覆する。このため、その後にSiウェハ11を大気中に取り出しても、フルオロカーボンポリマー膜38によって大気中の水分が反応生成物16まで侵入せず、反応生成物16中の塩素と大気中の水分とが反応しなくて、反応生成物16の体積も膨張しない。

Claim (excerpt)：

ハロゲン元素を含むガスを用いたエッチングで有機膜にパターンを形成した後、前記有機膜の下地に前記パターンを転写するパターンの形成方法において、水分を含む雰囲気に前記パターンを曝す前に、水分透過阻止能を有する被覆膜で前記パターン及び前記下地を被覆することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213

FI (4)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/88 D